PCB工藝芯片封裝技術(shù)詳解

1、BGA（ball grid array）也叫CPAC。 球形觸點(diǎn)排列，表面貼裝封裝之一。 在顯示模式下，在印刷基板的背面做一個(gè)球形凸塊來代替引腳，在印刷基板的正面組裝LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法密封。 也稱為凸點(diǎn)顯示載體 (PAC)。 引腳數(shù)可超過200個(gè)，是用于多引腳LSI的封裝。 封裝體也可以小于 QFP（四側(cè)引腳扁平封裝）。 例如360腳的BGA，腳中心距為1.5mm，只有31mm見方； 0.5mm中心距的304針QFP為40mm見方。 而且BGA不用像QFP那樣擔(dān)心管腳變形。

該套件由美國摩托羅拉公司開發(fā)。 它首先用于便攜式電話和其他設(shè)備，然后在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。 最初，BGA引腳（凸點(diǎn)）中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225個(gè)。現(xiàn)在一些LSI廠商正在開發(fā)500引腳的BGA。 BGA的問題是回流焊后的外觀檢測。 美國摩托羅拉將模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，將灌封法密封的封裝稱為GPAC。

2、C-（ceramIC）表示陶瓷封裝的標(biāo)志。 例如，CDIP 代表陶瓷 DIP。 是實(shí)踐中經(jīng)常使用的標(biāo)記。

3、COB（Chip On Board）芯片封裝是裸芯片貼裝技術(shù)之一。 半導(dǎo)體芯片連接并安裝在印刷電路板上。 芯片與基板之間的電連接采用線縫合方式實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃浴?COB雖然是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但其封裝密度遠(yuǎn)不及TAB和倒裝芯片貼裝技術(shù)。

4、DIP(雙列直插封裝)

雙列直插式封裝。 插件封裝的一種，管腳從封裝的兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷。 DIL被歐洲半導(dǎo)體制造商廣泛使用。

DIP是最流行的插件封裝，其應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC、存儲(chǔ)器LSI、微機(jī)電路等。引腳中心距為2.54mm，引腳數(shù)為6至64。封裝寬度為 通常為 15.2 毫米。 一些寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為SK DIP（skinny dual in line package）和SL DIP（slim dual in line package）narrow DIP。 但是，在大多數(shù)情況下，它是不區(qū)分的，簡稱為DIP。 另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為Cerdip（見4.2）。

4.1 DIC（雙列直插式陶瓷封裝）陶瓷封裝（包括玻璃密封）的別稱。

4.2 Cerdip：玻璃密封陶瓷雙列直插封裝，用于ECL RAM、DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）等電路。 帶玻璃窗的Cerdip用于紫外線可擦除EPROM和內(nèi)置EPROM的微機(jī)電路。 管腳中心距為2.54mm，管腳數(shù)為8-42。在日本，這種封裝稱為DIP-G（G表示玻璃密封）。

4.3 SDIP (shrink dual in line package) 收縮型DIP。 它是一種與DIP形狀相同的插件封裝，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm）。 引腳數(shù)從14到90不等，有陶瓷和塑料兩種。 也稱為 SH － DIP（收縮雙列直插封裝）

5、倒裝芯片

回焊芯片。 作為裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作金屬凸點(diǎn)，然后將金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊。 封裝的占位面積與芯片尺寸基本相同。 它是所有封裝技術(shù)中最小和最薄的。 但是，如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片的熱膨脹系數(shù)不同，就會(huì)在結(jié)處發(fā)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。 因此，必須使用樹脂來加固LSI芯片，必須使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

6、FP（平包）

扁平包裝。 表面貼裝封裝之一。 QFP 或 SOP 的替代名稱（參見 QFP 和 SOP）。 一些半導(dǎo)體制造商使用這個(gè)名稱。

7、H-（帶散熱片）

表示帶有散熱器的標(biāo)記。 例如，HSOP 代表帶散熱器的 SOP。

8、MCM（多芯片模塊）

多芯片模塊。 將多個(gè)半導(dǎo)體裸芯片組裝在一個(gè)布線基板上的封裝。 按基板材料可分為MCM-L、MCM-C和MCM-D三類。 MCM-L是使用普通玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的元件。 布線密度不是很高，成本低。 MCM-C是采用厚膜技術(shù)形成多層布線的元件，采用陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板。 它類似于使用多層陶瓷基板的厚膜混合 IC。 兩者之間沒有顯著差異。 布線密度高于MCM-L。 MCM-D是采用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al為基板的模塊。 布線陰謀是三個(gè)組件中最高的，但成本也很高。