電路板廠(chǎng)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)講解DDR2 PCB布局

信號(hào)分組：

DDR2 BUS信號(hào)通常被布線(xiàn)成幾組，同一組的信號(hào)具有相關(guān)或相似的信號(hào)特性。

時(shí)鐘組：差分時(shí)鐘信號(hào)，每對(duì)信號(hào)的頻率和相位相同。 ck0p 和 ck0n 是一對(duì)。

數(shù)據(jù)組：對(duì)于64位DDR2主板內(nèi)存，每8位（即一個(gè)字節(jié)）數(shù)據(jù)可分為八組，包括數(shù)據(jù)dq[0:7]、數(shù)據(jù)掩碼dqm0、數(shù)據(jù)門(mén)控差分信號(hào)dqsp0和dqsn0 ， 等等。 同一數(shù)據(jù)組的信號(hào)應(yīng)走在同一層，且層數(shù)也應(yīng)一起改變。 VIA 的數(shù)量應(yīng)該相同。 數(shù)據(jù)位可以互換，以便于同一信號(hào)層中的布線(xiàn)。 比如dq2信號(hào)走線(xiàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)如果按照原理圖走線(xiàn)，會(huì)和dq4信號(hào)錯(cuò)開(kāi)。 這樣，我們就必須換層來(lái)路由信號(hào)。 我們可以通過(guò)交換數(shù)據(jù)位來(lái)使信號(hào)走同一層。 對(duì)于內(nèi)存來(lái)說(shuō)，每一位存儲(chǔ)的就是讀取的內(nèi)容。 交換不會(huì)受到影響，但交換條件必須在同一組的八個(gè)位之間。

地址/命令組：MA [0:14]、BA0、BA1、BA2、RAS、CAS、WE。

控制組：時(shí)鐘使能CKE、片選CS、終端電阻門(mén)ODT為一組。 對(duì)于內(nèi)存模塊，DIMM0 使用 CKE0、CKE1、CS0、CS1、ODT0 和 ODT1。 在設(shè)計(jì)板載存儲(chǔ)器時(shí)，只能使用CKE0、CS0和ODT0來(lái)控制4個(gè)16位存儲(chǔ)器芯片。

PCB 堆疊：

對(duì)于六層板，一般疊片為頂部、GND、singnal2、singnal3、POWER 和底部。 一般情況下，以GND作為信號(hào)的參考面比較好。 走線(xiàn)的阻抗由走線(xiàn)寬度、走線(xiàn)銅箔厚度、走線(xiàn)到參考平面的距離、參考平面銅箔厚度以及板介質(zhì)材料決定。 設(shè)計(jì)PCB時(shí)，應(yīng)根據(jù)CPU制造商的阻抗設(shè)計(jì)要求來(lái)設(shè)置堆疊。 一般的PCB設(shè)計(jì)軟件也可以計(jì)算阻抗。 找到PCB廠(chǎng)家了解板介質(zhì)的厚度信息，然后就可以自己設(shè)計(jì)疊層和線(xiàn)寬了。 地址/命令信號(hào)和控制信號(hào)可以以1.8V存儲(chǔ)器工作電壓為參考平面。 但是，必須參考完整的電源層。

布線(xiàn)長(zhǎng)度控制：

對(duì)于DDR2這樣的高頻信號(hào)，需要計(jì)算到CPU核心的走線(xiàn)長(zhǎng)度，這就引入了一個(gè)叫做封裝長(zhǎng)度的概念。 通過(guò)物理、化學(xué)的方法將硅片蝕刻成CPU核心，然后將CPU核心封裝到一塊小小的PCB基板上就是我們常見(jiàn)的CPU。 小PCB上的引腳到CPU核心的走線(xiàn)長(zhǎng)度稱(chēng)為封裝長(zhǎng)度，也稱(chēng)為PIN延遲。

同級(jí)別內(nèi)存的時(shí)鐘長(zhǎng)度應(yīng)控制在正負(fù)5mil以?xún)?nèi)。

同一數(shù)據(jù)組中所有導(dǎo)線(xiàn)的長(zhǎng)度應(yīng)控制在數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS的正負(fù)20密耳之內(nèi)。 不同數(shù)據(jù)組之間的長(zhǎng)度可以不同，但應(yīng)控制在時(shí)鐘信號(hào)的正負(fù) 500 mil 范圍內(nèi)。

地址/命令組信號(hào)的長(zhǎng)度沒(méi)有嚴(yán)格控制，要求INTEL霧化N450控制在時(shí)鐘信號(hào)的負(fù)500mil到正1000mil范圍內(nèi)。 也就是說(shuō)最長(zhǎng)的信號(hào)和最短的信號(hào)可以相差1500mil，但是布線(xiàn)時(shí)最好減小信號(hào)長(zhǎng)度的差異。 布線(xiàn)時(shí)，這組信號(hào)的長(zhǎng)度完全相等是沒(méi)有問(wèn)題的，但也占用了大量的PCB空間和時(shí)間。 如果地址/命令信號(hào)長(zhǎng)度超過(guò)時(shí)鐘信號(hào)數(shù)千mil，則需要在BIOS固件中進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。 應(yīng)控制在CPU要求的范圍內(nèi)。 當(dāng)需要做板載內(nèi)存時(shí)，只需配置內(nèi)存SPD即可。

控制組信號(hào)長(zhǎng)度的控制要求與地址/命令組信號(hào)類(lèi)似。 應(yīng)根據(jù)CPU制造商的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。 INTEL Agitation N450 要求控制在0 mil 到+1000 0mil 的時(shí)鐘信號(hào)范圍內(nèi)。

線(xiàn)距：

一般來(lái)說(shuō)，走線(xiàn)應(yīng)遵循3W原則，即同一水平線(xiàn)與走線(xiàn)之間的距離為走線(xiàn)寬度的3倍。 然而，這不是必要的。 Intel的要求相對(duì)較小。 一般來(lái)說(shuō)，繞組線(xiàn)之間的間距可以是16到20mil，時(shí)鐘信號(hào)可以增加到30mil。 不同組信號(hào)之間的距離應(yīng)適當(dāng)延長(zhǎng)，可大于20mil，地址/命令組與控制組信號(hào)之間的距離可小于8mil。 BGA扇出之間的距離可以很小，出線(xiàn)應(yīng)根據(jù)CPU設(shè)計(jì)要求進(jìn)行布線(xiàn)。

其他電源路由：

VREF接線(xiàn)可以使用20mil的電線(xiàn)，并且每個(gè)連接的設(shè)備都要加一個(gè)0.1uf的電容。

VTT接線(xiàn)應(yīng)大于135mil。 每四個(gè)電阻接一個(gè)0.1uf的電容，兩端接一個(gè)10uf的大電容。

點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)信號(hào)，如地址/命令信號(hào)、控制信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)等應(yīng)走“T”形，即芯片向上，中間分支，長(zhǎng)度滿(mǎn)足CPU 設(shè)計(jì)要求。 PCB組裝及PCB加工廠(chǎng)家講解DDR2 PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)、信號(hào)分組、數(shù)據(jù)分組、堆棧結(jié)構(gòu)。