PCB廠：嵌入式電子元器件基板技術(shù)趨勢(shì)

前言 如今，電子元件或 PWB 已經(jīng)發(fā)生了很大變化。 1C封裝正從芯片尺寸的微型化向存儲(chǔ)器的三維安裝等方向發(fā)展，無源元件加速從片式元件向陶瓷覆層元件發(fā)展，并向嵌入式無源元件基板模塊或1C封裝方向發(fā)展。 他們開始轉(zhuǎn)向樹脂基基板，尤其是嵌入無源和有源元件基板。 硅（Si）芯片也有集成無源元件芯片，是適合1C封裝的嵌件基板，加速了嵌入式無源元件基板的發(fā)展。 本文介紹了嵌入式電子元件基板的技術(shù)趨勢(shì)。

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電子元器件技術(shù)趨勢(shì) 隨著電子器件的小型化、高性能化、多功能化，IC封裝從單芯片的QFP、TCP發(fā)展到小型BGA、CSP，再到與同等尺寸的晶圓級(jí)CSP(d) 裸芯片。 此外，異構(gòu)IC芯片的二維元件或三維安裝的封裝（MCP，多芯片封裝）或模塊化（MCM，多芯片模塊）的發(fā)展也在加速，基于IC芯片的系統(tǒng)LSI的發(fā)展也在加速 很活躍。 隨后，由于系統(tǒng)LSI設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，長期從事PCB技術(shù)研究，在該刊發(fā)表多篇文章。

但由于陶瓷基板的脆性，不適用于大薄基板，僅限于特殊的小模塊或封裝。 此外，當(dāng)基板受熱時(shí)，會(huì)發(fā)生百分之幾十的燒結(jié)收縮，這使得無法進(jìn)行電氣檢查和嵌入高精度元件。 由于無法在燒結(jié)前后進(jìn)行微調(diào)，因此很難形成誤差值為±1%的電阻。 因此，燒結(jié)收縮的波動(dòng)程度是。

集成無源元件硅襯底趨勢(shì) 目前，陶瓷基襯底占據(jù)了無源元件集成和嵌入式襯底的絕大部分。 然而，最近又推出了采用半導(dǎo)體技術(shù)在硅襯底上形成LRC無源元件的集成無源器件（IPD）。 迄今為止，雖然還沒有集成無源元件的Si芯片，但Si芯片可以集成半導(dǎo)體1C中難以嵌入的大值無源元件。

陶瓷貼片元器件的方向性 由于微型貼片器件制造和安裝難度大，單個(gè)元器件的安裝效率或可操作性很差，采用相同或不同無源元器件的二維或三維復(fù)合器件數(shù)量較多 急劇增加。 近來，隨著手機(jī)數(shù)量的快速增加，搭載1C的模塊化趨勢(shì)正在加速。 但是，僅僅停留在電子機(jī)器的高性能、多功能、輕量化和小型化是不夠的。 數(shù)GHz至數(shù)十GHz頻段的高速、高頻、超小型便攜機(jī)的需求急劇增加。 傳統(tǒng)的SMT高密度安裝方式，采用基板與電子元器件分離制造、組合的方式，難以滿足提高性能、小型化、薄型化的要求。 因此，最近，無源元件和1C被嵌入到基板中，它可以縮短元件之間的連接長度，也可以抑制布線引起的LRC延遲、噪聲、發(fā)熱等問題。 將安裝方式從SMT轉(zhuǎn)移到SMT，不僅可以提高電子機(jī)的性能，實(shí)現(xiàn)電子機(jī)的輕量化和小型化，而且由于焊接位置的減少，提高了可靠性，降低了整體安裝成本。

陶瓷復(fù)合器件中嵌入被動(dòng)元件的基板最早可以追溯到1970年代開發(fā)的低溫?zé)Y(jié)玻璃陶瓷基板。 lt：800t~900t可嵌入以下燒結(jié)基板：燒結(jié)厚膜電阻器或厚膜電容器，于20世紀(jì)80年代中期實(shí)用化。 在這種結(jié)構(gòu)中，LRC等器件印刷在玻璃陶瓷基板上，層壓后一次燒結(jié)。 但由于選擇范圍較小，一般只用于特殊用途。 80年代后半葉，鈦酸鋇（BaTiQ）或在鐵氧體等強(qiáng)電介質(zhì)或強(qiáng)磁體芯片上印刷電極，疊層后燒結(jié)成無源復(fù)合元件的技術(shù)（c）。 由于具有不同燒結(jié)收縮率或熱膨脹系數(shù)的原始芯片的層壓和一次同時(shí)燒結(jié)，需要高度適應(yīng)成分或燒結(jié)工藝的技術(shù)，電子元件制造商或陶瓷制造商為此做出了努力。

PCB制造商、PCB設(shè)計(jì)師和PCBA制造商將講解嵌入式電子元件基板的技術(shù)趨勢(shì)。